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提高快充芯片电流来提升充电的速度——高效率快充芯片方案U6605D
2020-08-10 47

目前市面上具备的快充技术看似分门别类,拥有很多派别,但其实归根结底就是增大电压和电流这两种方式。但是比较通用的快充方案就是高电压低电流、低电压高电流这样的分类,不管是高电压还是大电流,最终都是依靠提高效率快充芯片来提升充电的速度,下面我们就针对这两种主要的方式简单的为大家进行罗列。

高通Quick Charge就是高电压低电流的独立方案,目前高效率快充芯片技术已经不知不觉来到了Quick Charge 4第四代,从最初的QC 1.0仅仅支持最高5V/2A的充电功率,到QC 2.0可以兼容5V/9V/12V/20V四档充电电压,并且达到最大3A的充电电流水准。而Quick Charge 3.0则是在QC 2.0的基础上进行的改进,以200mV增量为一档,支持3.6V20V的工作电压动态调节。这样一来,手机厂商就能够根据自家产品的需求调整到最佳电压,从而达到预期的电流,提升手机的充电效率。接下来给大家介绍一款当前常见的高效率快充芯片方案U6605D

U6605D快充芯片方案结合了一个专用的电流模式PWM4A/630V MOSFEET的模式控制器。U6605D快充芯片方案高效、低待机功率低功耗、低电磁兼容性和低成本。适用于12W范围内的离线反激变换器输出功率。U6605D快充芯片方案集成有多种保护功能:VDD 欠压保护 (UVLO)VDD 过压保护 (OVP)、逐周期限流保护 (OCP)、短路保护 (SLP) VDD箝位等。U6605D快充芯片方案输出规格为5912-18W,应用于PD/QC市场,VDD-40V max18W

U6605D快充芯片方案主要特点:

集成 650V MOSFET

±4% 恒流、恒压精度

待机功耗<70mW

多模式原边控制方式

工作无异音

优化的动态响应

可调式线损补偿

集成线电压和负载电压的恒流补偿                                       

集成完善的保护功能

据悉,升级版的QC 4.0通过Qualcomm Technologies的平行充电技术Dual Charge,与前代QC 3.0相比,可以增加到高达20%的充电速度提升。除了提升充电速度之外,QC 4.0还实现了更短的充电时间和更高的效率,能在更准确地测量电压、电流和温度的同时,保护电池、系统、线缆和连接器。一方面提升充电速度,一方面保护了电池、充电器等设备。

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