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10W系列 5V2A六级能效方案TB5812
MODEL:TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。 

±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。 

系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机<75mW。 

原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。 

内置软启动,超低启动电流,管脚浮空保护。 

VDD欠压保护,VDD过压保护及钳位。

产品详情

产品展示

 AC-DC开关电源方案选型表        
产品型号

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电路拓补 功率管耐压 (V) 导通电阻(Ω) 待机功耗 (mW) IC大输出功率(W) 工作频率(KHZ) 典型应用 封装
TB5806A 原边反馈/内置BJT 700 / <75 6W 40--70 5V 1.2A  SOP-7
TB5806B 原边反馈/内置BJT 700 / <75 5W 40--70 5V 1.0A  SOP-7
TB5806C 原边反馈/内置BJT
700 / <75 2.5W 40--70 5V 0.5A  SOP-7
TB5812A 原边反馈/内置BJT 800 / <75 10W 40--70 5V  2.0A  SOP-7
TB5812B 原边反馈/内置BJT
600 / <75 7.5W 40--70 5V 1.5A  SOP-7
TB6818 原边反馈/内置MOS 650 2.6 Ω 75 18W 40--70 12V 1.5A SOP-8
TB6806S 原边反馈/内置MOS
600 12Ω <75 6W 40--70 5V 1.0A  SOP-8
TB6806SA 原边反馈/内置MOS 600 4.5Ω <75 10W 40--70 5V  2.0A SOP-8
TB6806D 原边反馈/内置MOS 600 4.5Ω 75 12W 40--70 12V 1.0A DIP-8
TB6812 原边反馈/内置MOS 650
2.6Ω <75 12W  40--70 12V1.0A SOP-7
TB6810 原边反馈/外置BJT 外置BJT / 75 10W 40--70 5V 2A SOT23-5
TB6825 原边反馈/外驱MOS
外驱MOSFET
/ <75 20W 40--70 12V 1.5A  SOT23-6
TB3815 副边反馈/内置MOS 650 4Ω 75 15W 65 12V 1A DIP-8
TB3865 副边反馈/外驱MOS 外驱MOSFET / 75 65W 65 12V 5A SOT23-6
TB3890D 副边反馈/外驱MOS 外驱MOSFET
/ 75 90W  65 12V 5A DIP-8
TB3890S 副边反馈/外驱MOS 外驱MOSFET / 75 90W 65 12V 5A SOP-8
其它热销产品


1

2

TB5812 5V/2A常规测试数据(满足六级能效)

20170717104733_9548特性

20170717104753_1902


EMI数据

20170717104825_8638

购入:10W系列 5V2A六级能效方案TB5812
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